半導體曝(pù)光設(shè)備由(yóu)光源(yuán)，聚光(guāng)透鏡，光(guāng)掩(yǎn)模(mó)，投影透鏡(jìng)和(hé)載物(wù)台組成。從光源發出的紫(zǐ)外光通過聚光透鏡調(tiáo)整(zhěng)，使(shǐ)其指向同一方(fāng)向。之(zhī)後，紫(zǐ)外光穿(chuān)過作(zuò)為構成電路(lù)圖(tú)案(àn)的一(yī)層的(dí)原型的光(guāng)掩模，並通過投影透鏡(jìng)減(jiǎn)少光綫(xiàn)，將半導(dǎo)體元(yuán)件的(dí)電(diàn)路圖(tú)案(àn)（的一層）轉(zhuǎn)移(yí)到(dào)半(bàn)導(dǎo)體元(yuán)件上(shàng)。馬蘇(sū)。在(zài)諸如(rú)步(bù)進(jìn)機(jī)之類(lèi)的(dí)曝(pù)光(guāng)設(shè)備中，在(zài)完成一次(cì)轉移(yí)之後，通(tōng)過平台移動矽(guī)晶(jīng)片(piàn)，並將相(xiāng)同(tóng)的(dí)電(diàn)路圖案轉移到矽晶片上(shàng)的另一(yī)位置。通過更(gēng)換光掩(yǎn)模(mó)，可(kě)以轉(zhuǎn)印半導體器件的另一(yī)層電路(lù)圖(tú)案。

所(suǒ)使用的光源(yuán)包(bāo)括(kuò)波長為248 nm的KrF準分子(zǐ)激(jī)光(guāng)器(qì)，波長(cháng)為(wéi)193 nm的ArF準(zhǔn)分(fēn)子激(jī)光器(qì)以及(jí)波長(cháng)為13 nm的EUV光源(yuán)。

最新半導體製造工藝的設計(jì)規則（最小(xiǎo)加(jiā)工尺(chǐ)寸(cùn)）越(yuè)來越(yuè)細(xì)化(huà)至(zhì)3至5納米左(zuǒ)右，因此聚光透鏡(jìng)，光(guāng)掩模(mó)，投(tóu)影(yǐng)透鏡和平(píng)台都需(xū)要納米級的(dí)高精(jīng)度(dù)。此(cǐ)外，隨(suí)著層壓的進行，進行多(duō)次曝(pù)光(guāng)以改變電(diàn)路圖(tú)案(àn)並形成單個(gè)半(bàn)導體(tǐ)。