半導(dǎo)體曝(pù)光(guāng)設(shè)備(bèi)是(shì)半導體製造過(guò)程(chéng)中(zhōng)用於在矽片上繪製電(diàn)路(lù)圖案的(dí)設(shè)備(bèi)。*的紫外(wài)光透過(guò)光(guāng)掩模
，作(zuò)為電路圖案的原型(xíng)
，電(diàn)路圖案被轉移到(dào)塗(tú)有(yǒu)光刻(kè)膠的矽(guī)晶片上(shàng)。近年來
，一些設備使(shǐ)用波長(cháng)為 13 nm 的(dí)激光（稱(chēng)為 EUV）來微(wēi)型(xíng)化精(jīng)細(xì)電(diàn)路圖案(àn)。由於(yú)定位等(děng)要求(qiú)高(gāo)的精度
，因此設備價格(gé)昂貴。

半導(dǎo)體曝光設(shè)備的應用(yòng)

半導體(tǐ)曝光設備用於包含(hán)MOS（金屬氧化物(wù)半導體）和FET（場效應晶(jīng)體管(guǎn)）等半導體元件的IC（集成(chéng)電路(lù)）製造過(guò)程(chéng)中(zhōng)的曝(pù)光工(gōng)序。

在IC製(zhì)造過(guò)程中
，在(zài)矽晶(jīng)片上(shàng)依次重復(fù)光刻和蝕(shí)刻循(xún)環
，並且在將(jiāng)氧化(huà)矽(guī)，金(jīn)屬(shǔ)等(děng)層層(céng)壓並(bìng)加工成預(yù)定圖(tú)案的過(guò)程中
，半導(dǎo)體(tǐ)元件所需的特性被(bèi)加(jiā)工為(wéi)執(zhí)行(háng)得如此(cǐ)
，它已經 .例如
，在n型(xíng)MOS(NMOS)的(dí)情(qíng)況(kuàng)下(xià)
，在(zài)p型矽基(jī)板的柵極區域上(shàng)形成氧化矽(guī)膜和(hé)柵(zhà)極(jí)金屬(shǔ)
，並且將高(gāo)濃度(dù)的雜質離子注入到漏極(jí)和(hé)源極中。這形成了n型(xíng)（n+型(xíng)）MOS。這(zhè)一係列(liè)工(gōng)序(xù)中的(dí)光刻(kè)工序和(hé)蝕刻工序(xù)如圖所(suǒ)示地構(gòu)成(成膜工序S1～抗蝕劑剝離工(gōng)序(xù)S6)。