結構(gòu)及(jí)工作(zuò)原理(lǐ)

由於(yú)透射電(diàn)鏡是TE進(jìn)行成(chéng)像的(dí)，這(zhè)就要(yào)求樣品的(dí)厚(hòu)度(dù)需要保證在(zài)電子(zǐ)束(shù)可穿(chuān)透的(dí)尺寸(cùn)範圍內(nèi)
。為此需要(yào)通過(guò)各(gè)種較為(wéi)繁瑣的(dí)樣(yàng)品(pǐn)製(zhì)備(bèi)手(shǒu)段(duàn)將大尺(chǐ)寸樣(yàng)品(pǐn)轉(zhuǎn)變到(dào)透(tòu)射(shè)電鏡(jìng)可(kě)以(yǐ)接受的(dí)程度
。

能否(fǒu)直接(jiē)利用樣(yàng)品(pǐn)表麵材料的物質(zhì)性能進行微觀成(chéng)像(xiàng)，成為(wéi)科(kē)學(xué)家追(zhuī)求的目標
。

經過努力，這種(zhǒng)想(xiǎng)法已成(chéng)為現實(shí)-----掃描(miáo)電子顯微(wēi)鏡(ScanningElectronicMicroscopy,SEM)
。

SEM——利用極細電(diàn)子束在被(bèi)觀測樣品表麵上進行(háng)掃描，通(tōng)過分別收集電子束與(yǔ)樣品相(xiāng)互作用產生的一係(xì)列(liè)電子信息，經轉換(huàn)，放大(dà)而成像(xiàng)的電子光學儀(yí)器
。是研(yán)究(jiū)三(sān)維表(biǎo)層構造(zào)的有利(lì)工(gōng)具
。

其(qí)工作原(yuán)理為：

在高(gāo)真空的(dí)鏡筒(tǒng)中(zhōng)，由電子槍產生的電(diàn)子束(shù)經電子會(huì)聚透鏡聚焦(jiāo)成細束(shù)後，在樣品(pǐn)表(biǎo)麵(miàn)逐(zhú)點(diǎn)進行掃描轟(hōng)擊，產生一係列電子(zǐ)信(xìn)息（二(èr)次(cì)電(diàn)子，背反射電子，透射(shè)電子，吸收電子(zǐ)等），由探測(cè)器將各種(zhǒng)電子(zǐ)信(xìn)號(hào)接(jiē)收後經(jīng)電子放(fàng)大器放(fàng)大後輸入(rù)由(yóu)顯像管(guǎn)柵極(jí)控(kòng)製的顯(xiǎn)像管
。

聚(jù)焦電子束對樣品(pǐn)表(biǎo)麵(miàn)掃(sǎo)描時，由(yóu)於(yú)樣(yàng)品不同部位(wèi)表麵(miàn)的物(wù)理，化學性(xìng)質，表麵電(diàn)位，所含元素(sù)成分(fēn)及(jí)凹凸(tū)形(xíng)貌不同(tóng)，致(zhì)使(shǐ)電子(zǐ)束(shù)激發(fā)出(chū)的電子信息各(gè)不相同(tóng)，導致顯(xiǎn)像管的電(diàn)子束(shù)強度也隨著不(bù)斷(duàn)變化，最(zuì)終在顯像(xiàng)管熒光(guāng)屏上(shàng)可以獲得一幅與樣品(pǐn)表麵結構(gòu)相(xiāng)對應的圖像
。根(gēn)據探測器接收的(dí)電子信號的(dí)不同，可分(fēn)別(bié)獲得(dé)樣(yàng)品的背散射電子(zǐ)圖像(xiàng)，二次(cì)電(diàn)子圖像，吸收電(diàn)子(zǐ)圖像(xiàng)等
。

掃(sǎo)描(miáo)電(diàn)鏡(jìng)分辨率(shuài)可達(dá)50~100Å，電子放(fàng)大倍(bèi)數可由十幾倍連(lián)續變化到(dào)幾十(shí)萬倍(bèi)
。因此(cǐ)可(kě)以(yǐ)對樣品(pǐn)的(dí)整個表麵進(jìn)行(háng)比(bǐ)較仔細的觀察
。