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半導體晶(jīng)圓紫外綫(xiàn)（UV）臭氧清洗(xǐ)設備

更新時間(jiān)：2024-09-23

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半導(dǎo)體(tǐ)晶圓(yuán)紫外綫（UV）臭(chòu)氧(yǎng)清洗設備

半導(dǎo)體晶(jīng)圓紫(zǐ)外(wài)綫（UV）臭(chòu)氧清洗(xǐ)設(shè)備

波(bō)長(cháng)	185納米，254納(nà)米(mǐ)
目(mù)的	清(qīng)潔/修改
行業	半導體(tǐ)製造
待安裝設備	半(bàn)導體清(qīng)洗設備

UV照射(shè)設備用(yòng)於清洗半導體(tǐ)晶(jīng)圓(yuán)。紫外綫照(zhào)射(shè)會產生臭氧，去(qù)除晶圓表(biǎo)麵的有(yǒu)機物。半導體(tǐ)晶圓紫外臭氧清(qīng)洗(xǐ)設(shè)備(bèi)可(kě)用於原(yuán)型/開發和批(pī)量生(shēng)產。原(yuán)型機和開發機(jī)是半自(zì)動的，生產(chǎn)能力(lì)低，而(ér)量(liáng)產機(jī)是自動化(huà)機。

UV照(zhào)射設備(bèi)采用(yòng)185nm和254nm汞燈作為光源。當185nm紫(zǐ)外綫被(bèi)氧氣吸收(shōu)時，產(chǎn)生臭(chòu)氧（O3）並產生(shēng)活(huó)性氧。

技術(shù)文件(jiàn)《審(shěn)查半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)製造(zào)領(lǐng)域(yù)的(dí)紫外(wài)綫照(zhào)射設(shè)備以(yǐ)實現成(chéng)本(běn)降(jiàng)低》

這(zhè)個(gè)應用(yòng)程序用過的解決問題的例子(zǐ)

更換晶圓周(zhōu)邊曝(pù)光光(guāng)源，成(chéng)本降低30%以上

目(mù)的(dí)
接(jiē)觸(chù)
行(háng)業
半(bàn)導體製(zhì)造(zào)
設(shè)備(bèi)
塗布機(jī)開發(fā)商
波(bō)長(cháng)
365nm
任(rèn)務
初(chū)始成本和運(yùn)行成(chéng)本(běn)降低

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