什(shí)麼是半(bàn)導體激光(guāng)器

更新時間：2024-02-01

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半導體激光器(qì)也(yě)稱為半導體(tǐ)激(jī)光二(èr)極管，或簡(jiǎn)稱激光(guāng)二極管（Laser Diode，LD）。由於(yú)半導體(tǐ)材(cái)料(liào)本(běn)身(shēn)物質結(jié)構的(dí)特異性以(yǐ)及半(bàn)導體(tǐ)材(cái)料(liào)中(zhōng)電子運動(dòng)規律(lǜ)的特殊(shū)性，使(shǐ)半導體激光(guāng)器的工(gōng)作特性具(jù)有其特殊(shū)性(xìng)。

半導體激(jī)光器(qì)是以一定的半導體(tǐ)材(cái)料做(zuò)工(gōng)作物質而產(chǎn)生受激發(fā)射作用(yòng)的器(qì)件。.其(qí)工(gōng)作原(yuán)理是通(tōng)過(guò)一(yī)定(dìng)的(dí)激勵方(fāng)式，在半導體(tǐ)物質(zhì)的能帶（導帶與(yǔ)價(jià)帶(dài)）之間，或者半導體物質(zhì)的能(néng)帶(dài)與雜(zá)質(zhì)（受主(zhǔ)或施(shī)主(zhǔ)）能級之間，實現(xiàn)非(fēi)平(píng)衡載流子(zǐ)的粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，當處於粒(lì)子(zǐ)數反(fǎn)轉狀態的(dí)大量電子與空(kōng)穴復合(hé)時，便產生(shēng)受激發(fā)射作用。半導(dǎo)體激(jī)光器的激(jī)勵(lì)方(fāng)式主要有(yǒu)三種，即(jí)電注入(rù)式，光(guāng)泵(bèng)式(shì)和高能(néng)電子(zǐ)束(shù)激(jī)勵(lì)式。電注(zhù)入(rù)式半導(dǎo)體激光器，一(yī)般(bān)是(shì)由(yóu)砷化镓（GaAs），硫(liú)化鎘(gé)（CdS），磷化銦(InP)，硫化鋅(ZnS)等(děng)等材(cái)料(liào)製(zhì)成的(dí)半導體(tǐ)麵(miàn)結(jié)型(xíng)二極管，沿正(zhèng)向偏壓注入電流進行(háng)激勵(lì)，在結平麵區(qū)域產生(shēng)受(shòu)激發(fā)射(shè)。光泵(bèng)式(shì)半導體激光器(qì)，一般用(yòng)N型或P型半(bàn)導體單晶(jīng)（如GaAS,InAs,InSb等）做(zuò)工(gōng)作物質，以其他激光(guāng)器(qì)發(fā)出的(dí)激光作(zuò)光泵(bèng)激勵(lì).高能電子(zǐ)束(shù)激(jī)勵式(shì)半導(dǎo)體(tǐ)激(jī)光(guāng)器，一般(bān)也是用(yòng)N型(xíng)或者P型(xíng)半導體單(dān)晶如(rú)PbS,CdS,ZhO等(děng))做(zuò)工作物質(zhì)，通(tōng)過(guò)由外部(bù)注入高能電(diàn)子(zǐ)束(shù)進(jìn)行(háng)激(jī)勵(lì)。在半導體激光器件中，性能較好(hǎo)，應用較廣的是(shì)具有(yǒu)雙異質(zhì)結(jié)構的電(diàn)注(zhù)入式GaAs二(èr)極(jí)管激光器。

半(bàn)導體激光器(qì)采用注(zhù)入(rù)電(diàn)流方式(shì)泵浦。

纖綠(lǜ)半導體激(jī)光(guāng)手(shǒu)電

半導體(tǐ)激光器波長(cháng)覆(fù)蓋範圍為紫外(wài)至紅外(wài)波段（300nm~十(shí)幾微米(mǐ)），其中1.3um與(yǔ)1.55um為光(guāng)纖(xiān)傳輸(shū)的兩(liǎng)個窗(chuāng)口(kǒu)。半導(dǎo)體激光器(qì)具有能量轉換(huàn)效率(shuài)高，易於進行高速(sù)電(diàn)流(liú)調製(zhì)，超小型(xíng)化，結構(gòu)簡(jiǎn)單，使用(yòng)壽命才(cái)長等(děng)突出特(tè)點，使(shǐ)其(qí)成為最重(zhòng)要有應用價值的(dí)一(yī)類的激(jī)光器。

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